半导体结构及其形成方法
实质审查的生效
摘要
本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体基底，所述半导体基底上形成有层间介质层；接触结构，位于所述层间介质层中，所述接触结构顶面低于所述层间介质层顶面；保护层，位于所述接触结构表面，所述保护层的顶面低于所述层间介质层的顶面。本申请所述的半导体结构及其形成方法，在部分刻蚀后的接触结构表面形成保护层，可以避免源极和漏极上的接触结构中的金属原子迁移到介质层中，影响后续工艺，降低器件可靠性。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334795A
申请号 ：
CN202011047104.X
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
肖张茹荆学珍张浩于海龙张田田
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
北京市一法律师事务所
代理人 ：
刘荣娟
优先权 ：
CN202011047104.X
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L21/8234 H01L23/48 H01L23/528 H01L27/088 H01L23/532
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20200929
申请日 : 20200929
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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