半导体结构及其形成方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底；位于基底上的金属层；以及位于所述金属层上的刻蚀停止层，所述刻蚀停止层包含依次层叠设置的金属氮化物层、绝缘层与金属氧化物层，金属氮化物层与金属层的粘附性比较好，而金属氧化物层起到刻蚀停止的作用，使得刻蚀可有效停止于所述金属层之前，避免所述金属层过刻蚀而裸露，或者刻蚀不足而组件失效，从而提高半导体结构的性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464599A
申请号 ：
CN202210376486.3
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-04-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林智伟陈维邦郑志成
申请人 ：
晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹廷廷
优先权 ：
CN202210376486.3
主分类号 ：
H01L23/538
IPC分类号 ：
H01L23/538 H01L27/08 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/538
制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/538
申请日 : 20220412
申请日 : 20220412
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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