一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底；在部分所述衬底表面形成栅氧层；在所述衬底上形成层间介质层，所述层间介质层内具有暴露出所述栅氧层的第一开口；在所述层间介质层顶部表面形成牺牲层；形成所述牺牲层后，去除所述栅氧层，在所述层间介质层内形成第二开口，在刻蚀去除所述栅氧层的过程中，由于所述牺牲层对所述层间介质层顶部表面的保护，所述层间介质层顶部不容易出现异常的腐蚀坑，减少在形成栅极时，所述腐蚀坑中被填充栅极材料形成异常区的情况，进而减少在去除部分栅极，形成隔离沟槽的过程中，腐蚀到被刻蚀位置临临近的异常区，并腐蚀到未被图形化层暴露出的栅极的情况，保持了栅极的完整性，提高了器件的性能。