半导体结构及其形成方法

实质审查的生效

摘要

一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区；在所述第一区上形成第一栅极；在所述第一栅极上形成两个以上的第二栅极结构，所述第二栅极结构包括第二栅极，所述第二栅极和第一栅极的材料不同，所述第二栅极结构位于所述第一栅极上部，用于保护所述第一栅极，在机械化学研磨的过程中，不容易产生“凹陷”缺陷，达到改善所述第一栅极结构完整性的目的，从而得到性能更优化的栅极结构。

基本信息

专利标题：

半导体结构及其形成方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114497211A

申请号：

CN202011148796.7

公开（公告）日：

2022-05-13

申请日：

2020-10-23

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

蔡巧明

申请人：

中芯北方集成电路制造（北京）有限公司

申请人地址：

北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道18号9幢

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

徐文欣

优先权：

CN202011148796.7

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/06 H01L29/423 H01L21/336

法律状态

2022-05-31 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20201023

2022-05-13 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载