半导体结构的形成方法
实质审查的生效
摘要
半导体结构的形成方法，包括：提供初始基底；在初始基底上依次形成硬掩模材料层和底部芯轴材料层；在底部芯轴材料层上形成多个分立的第一芯轴层和第一复合芯轴层；第一复合芯轴层顶部覆盖有保护层，第一芯轴层顶部未覆盖保护层；形成覆盖第一芯轴层侧壁和第一复合芯轴层侧壁的第一侧墙掩膜层；去除第一芯轴层，并以第一侧墙掩膜层和第一复合芯轴层为掩膜刻蚀底部芯轴材料层，形成多个分立的第二芯轴层；形成覆盖第二芯轴层侧壁的第二侧墙掩膜层；去除第二芯轴层，并以第二侧墙掩膜层为掩膜刻蚀硬掩模材料层，形成图案化的硬掩模层；以图案化的硬掩模层为掩膜图案化初始基底，形成目标图案。上述的方案，可以满足目标图形的不同间距需求。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334619A
申请号 ：
CN202011080516.3
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-10-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张冬平张海洋郑二虎
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号
代理机构 ：
上海德禾翰通律师事务所
代理人 ：
侯莉
优先权 ：
CN202011080516.3
主分类号 ：
H01L21/033
IPC分类号 ：
H01L21/033 H01L21/8234 G03F1/80
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
H01L21/033
包括无机层的
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/033
申请日 : 20201010
申请日 : 20201010
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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