一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括若干沿第一方向延伸的第一待刻蚀区，第一待刻蚀区包括沿第二方向排布的边缘区和中心区，且所述边缘区位于所述中心区两侧并与所述中心区相邻，基底上具有待刻蚀材料层；在待刻蚀材料层上形成若干相互分立的初始掩膜结构，初始掩膜结构沿第二方向延伸，且若干所述初始掩膜结构沿第一方向排列；刻蚀所述边缘区上的初始掩膜结构，直至暴露出待刻蚀材料层表面，形成若干掩膜结构；以掩膜结构为掩膜，刻蚀所述待刻蚀材料层，形成若干相互分立的待刻蚀层，且所述待刻蚀层沿第二方向延伸；去除所述中心区上的待刻蚀层，直至暴露出所述基底表面。所述方法有利于提高形成的待刻蚀层的尺寸均一性。