本发明实施例提供了一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的多个栅极结构、位于所述栅极结构上的第一停止层，以及位于所述栅极结构之间的掺杂电极；在所述掺杂电极上形成第二停止层，所述第二停止层用于在刻蚀所述第一停止层的步骤中同时被刻蚀；形成覆盖所述第一停止层和所述第二停止层的层间介质层；在所述层间介质层上形成图形化的金属硬掩膜层；以所述金属硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述层间介质层、第一停止层和第二停止层，直至形成暴露所述栅极结构的第一通孔和暴露所述掺杂电极的第二通孔，在形成暴露栅极结构和掺杂电极的通孔的过程中，能够满足相高的特征尺寸的要求。