半导体结构的形成方法
实质审查的生效
摘要
一种半导体结构的形成方法，包括：提供初始衬底；在所述初始衬底上形成第一图形化层；以所述第一图形化层对所述初始衬底图形化，形成衬底及位于所述衬底上的若干初始对准标记，所述初始对准标记沿第一方向延伸；在所述衬底和初始对准标记上形成第二图形化层；以所述第二图形化层为掩膜，刻蚀所述初始对准标记，形成若干对准标记，并且，所述对准标记沿第一方向的最大长度小于所述初始对准标记沿第一方向的最大长度。从而，提高了半导体结构的套刻精度及制程效率。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496740A
申请号 ：
CN202011257791.8
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-11-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张高颖柏耸
申请人 ：
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐文欣
优先权 ：
CN202011257791.8
主分类号 ：
H01L21/033
IPC分类号 ：
H01L21/033
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
H01L21/033
包括无机层的
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/033
申请日 : 20201111
申请日 : 20201111
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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