半导体结构及其形成方法
实质审查的生效
摘要
一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供初始基底，所述初始基底上具有刻蚀硬掩模和位于所述刻蚀硬掩模上的平坦化材料层；对所述平坦化材料层执行光刻工艺，形成图案化的平坦化层；以所述图案化的平坦化层为掩膜刻蚀所述刻蚀硬掩模，形成图案化的刻蚀硬掩模层；以所述图案化的刻蚀硬掩模层为掩膜刻蚀所述初始基底，形成目标图案。上述的方案，可以提高所形成的半导体结构的性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388352A
申请号 ：
CN202011134152.2
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2020-10-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张冬平张海洋郑二虎纪世良
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号
代理机构 ：
上海德禾翰通律师事务所
代理人 ：
侯莉
优先权 ：
CN202011134152.2
主分类号 ：
H01L21/033
IPC分类号 ：
H01L21/033 H01L21/8234 H01L27/088 G03F1/80
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
H01L21/033
包括无机层的
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/033
申请日 : 20201021
申请日 : 20201021
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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