半导体结构的形成方法
实质审查的生效
摘要
一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括第一区域；在基底上形成伪栅结构；在相邻伪栅结构之间的基底上形成牺牲层，牺牲层的顶部表面与伪栅结构的顶部表面齐平；在第一区域的牺牲层上形成掩膜层，所述掩膜层在基底上具有第一投影，牺牲层在基底上具有第二投影，第一投影位于第二投影中，且第一投影的面积小于第二投影的面积；刻蚀去除掩膜层暴露出的牺牲层以及部分厚度的基底；去除掩膜层和剩余牺牲层；刻蚀相邻伪栅结构之间的基底，在第一区域形成第一沟槽；在第一沟槽中形成外延层。本发明实施例提供的形成方法，能够形成饱满的外延层，从而有利于提高半导体结构的性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334816A
申请号 ：
CN202011056507.0
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李红芳刘中元江涛
申请人 ：
中芯南方集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号3号楼5楼
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴敏
优先权 ：
CN202011056507.0
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8234
申请日 : 20200930
申请日 : 20200930
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
