半导体结构的形成方法
实质审查的生效
摘要
一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成栅电极层；对所述栅电极层进行去氟处理；在所述去氟处理之后，在所述栅电极层的部分表面形成阻挡层，所述阻挡层的材料中包括钛元素。从而，通过所述去氟处理，提高了半导体结构的性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496751A
申请号 ：
CN202011158814.X
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-10-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王华肖长永林艺辉张琴陆毅呼翔朱小娜江滢
申请人 ：
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐文欣
优先权 ：
CN202011158814.X
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L21/768 H01L21/8234
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/28
申请日 : 20201026
申请日 : 20201026
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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