半导体结构及半导体结构的形成方法
实质审查的生效
摘要
一种半导体结构及半导体结构的形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底内具有阱区，所述阱区内具有第一离子；采用第一工艺在衬底上形成第一栅介质层；采用第二工艺在第一栅介质层上形成第二栅介质层，所述第二工艺的反应温度大于第一工艺的反应温度；在第二栅介质层上形成栅极层。所形成的半导体结构性能得到提升。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及半导体结构的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114429986A
申请号 ：
CN202011182688.1
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2020-10-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
段慧萍
申请人 ：
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐文欣
优先权 ：
CN202011182688.1
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L21/28
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/423
申请日 : 20201029
申请日 : 20201029
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
