半导体结构及其形成方法
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摘要
一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底上具有鳍部；对所述鳍部的顶部进行非晶化处理，在所述鳍部的顶部形成非晶区；在所述非晶区的顶部表面形成盖帽层；进行再结晶处理，使所述非晶区和盖帽层形成再结晶层；形成栅极结构和分别位于栅极结构两侧的源漏掺杂区，所述栅极结构横跨所述再结晶层和鳍部，且所述栅极结构覆盖部分再结晶层表面和部分鳍部侧壁表面，所述源漏掺杂区位于所述再结晶层内。所述方法能够降低器件的栅极感应漏极泄露电流。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109599338A
申请号 ：
CN201710939827.2
公开（公告）日 ：
2019-04-09
申请日 ：
2017-09-30
授权号 ：
CN109599338B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
李勇
申请人 ：
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐文欣
优先权 ：
CN201710939827.2
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/28 H01L29/06 H01L29/423 H01L29/78
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2019-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20170930
申请日 : 20170930
2019-04-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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