一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区，所述第一区上具有若干沿第一方向平行排布的第一鳍部；在所述衬底上形成若干伪栅结构，所述伪栅结构沿第二方向横跨于所述第一鳍部上，所述第一方向与所述第二方向垂直；在所述第一区上形成牺牲层，所述牺牲层内具有第一开口，所述第一开口暴露出位于相邻所述伪栅结构之间的第一鳍部；在所述伪栅结构两侧、以及所述第一开口暴露出的所述第一鳍部内形成第一源漏开口；在所述第一源漏开口和所述第一开口内形成第一源漏掺杂层。通过所述牺牲层提供阻挡，使得在第一源漏开口和所述第一开口内形成的各个所述第一源漏掺杂层的体积差异较小，进而提升最终形成的半导体结构的性能。