半导体结构及其形成方法

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摘要

一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底上具有鳍部；在所述鳍部上形成栅极结构，所述栅极结构横跨所述鳍部且覆盖所述鳍部部分顶部和部分侧壁的表面；进行第一刻蚀处理，在所述栅极结构两侧的鳍部内形成开口；对所述形成有开口的鳍部进行静电放电注入，在所述鳍部内形成静电放电掺杂区，所述静电放电掺杂区内具有第一类型离子；在所述开口内形成应力层，以形成位于所述静电放电掺杂区上的源漏掺杂区，所述源漏掺杂区内具有第二类型离子。本发明技术方案有效提高所形成应力层的质量，减少源漏掺杂区形成过程中应力层释放的应力，有利于改善所形成应力层的性能，有利于提高所形成半导体结构的性能。

基本信息

专利标题：

半导体结构及其形成方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN108281482A

申请号：

CN201710011818.7

公开（公告）日：

2018-07-13

申请日：

2017-01-06

授权号：

CN108281482B

授权日：

2022-04-15

发明人：

周飞

申请人：

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请人地址：

上海市浦东新区张江路18号

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

高静

优先权：

CN201710011818.7

主分类号：

H01L29/10

IPC分类号：

H01L29/10 H01L21/336 H01L29/78