半导体结构及其形成方法
公开
摘要
一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底；在所述衬底内形成阱区；形成所述阱区后，在所述衬底上形成沟道层；刻蚀所述沟道层以及部分厚度的衬底，形成凸出于剩余衬底的鳍部。本发明在形成所述阱区之后，形成所述沟道层，也就是说，所述阱区中的阱区离子未掺杂至所述沟道层中，相应的，在刻蚀所述沟道层时，可以减小或避免所述阱区离子对所述沟道层的刻蚀速率的影响，相应有利于提高对所述沟道层的刻蚀速率均一性，从而有利于降低刻蚀后剩余沟道层的表面粗糙度，即降低鳍部中的沟道层表面粗糙度，进而提高半导体结构的性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628488A
申请号 ：
CN202011468222.8
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑二虎
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号
代理机构 ：
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
高静
优先权 ：
CN202011468222.8
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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