半导体结构及其形成方法
实质审查的生效
摘要
一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：所述沟道层包括沿所述鳍部延伸方向排布的第一区和第二区，所述第一区两侧分别与所述第二区相邻；形成横跨所述鳍部的若干栅极层，若干所述栅极层位于所述第二区上；在所述衬底上形成层间介质层，且所述层间介质层还位于所述栅极层侧壁；在所述层间介质层内形成沟槽，所述沟槽位于所述第一区上；向所述沟槽底部注入改性离子，使所述第一区形成掺杂区；在形成所述掺杂区之后，对所述掺杂区进行退火处理，使所述掺杂区形成第一隔离区，所述第一隔离区的形成不需要采用对鳍部先进行刻蚀形成隔断沟槽，而后在隔断沟槽内填充绝缘介质形成第一隔离区的方式，维持了所述沟道层的应力，改善了器件的性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497217A
申请号 ：
CN202011265491.4
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-11-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
苏博吴汉洙施雪捷
申请人 ：
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐文欣
优先权 ：
CN202011265491.4
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/10 H01L21/336
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20201112
申请日 : 20201112
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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