半导体结构及其形成方法
实质审查的生效
摘要
一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区；在所述第一区上形成初始第一栅极结构，所述初始第一栅极结构包括初始第一栅极，所述初始第一栅极的顶部表面具有第一硬掩膜层和位于所述第一硬掩膜层之间的凸起部；刻蚀所述凸起部和所述初始第一栅极，在所述初始第一栅极结构内形成至少一个第一栅极开口，以所述初始第一栅极结构形成第一栅极结构，以所述初始第一栅极形成第一栅极；在所述第一栅极开口内形成第二栅极，所述第一栅极的材料和第二栅极的材料不同，可以根据不同的集成电路对第一栅极结构性能需求选用具有不同性能的第二栅极材料，从而达到调节所述第一栅极结构性能的目的。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497210A
申请号 ：
CN202011148784.4
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-10-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蔡巧明
申请人 ：
中芯北方集成电路制造（北京）有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道18号9幢
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐文欣
优先权 ：
CN202011148784.4
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423 H01L21/336
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20201023
申请日 : 20201023
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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