半导体结构及其形成方法
实质审查的生效
摘要
本申请公开一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：提供基底，在所述基底内形成具有第一深度的第一沟槽；在所述第一沟槽的侧壁表面形成牺牲层；沿形成有所述牺牲层的所述第一沟槽刻蚀所述基底，形成位于所述第一沟槽下方的第二沟槽；在所述第二沟槽的内壁形成隔离层；去除所述牺牲层，暴露出所述第一沟槽的侧壁；在所述第一沟槽的侧壁表面形成栅介质层。所述半导体结构的性能得到提高。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496795A
申请号 ：
CN202210038158.2
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
魏峰相奇戴学春
申请人 ：
广东芯粤能半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市南沙区黄阁镇金茂西二街2号103房之六
代理机构 ：
深圳市嘉勤知识产权代理有限公司
代理人 ：
董琳
优先权 ：
CN202210038158.2
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/78 H01L29/423
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20220113
申请日 : 20220113
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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