本申请提供半导体结构的形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面包括若干依次堆叠的牺牲层和沟道层；在所述牺牲层和沟道层顶面形成伪栅极层；刻蚀所述伪栅极层两侧的牺牲层和沟道层至暴露所述半导体衬底表面，同时使所述伪栅极层下方的牺牲层侧壁形成凹陷；在所述牺牲层和沟道层侧壁形成氧化层，位于所述牺牲层侧壁的所述氧化层保持所述凹陷的形状；在所述牺牲层侧壁的氧化层的凹陷内形成内侧墙。利用牺牲层和沟道层刻蚀速率和氧化速率的不同，在牺牲层侧壁形成凹陷，最后在所述凹陷中形成内侧墙，能够简化形成内侧墙的工艺，减少对硅通道表面的损伤，提高源极和漏极的质量，从而提高器件可靠性。