半导体结构的形成方法
授权
摘要
本发明涉及一种半导体结构的形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：提供衬底，所述衬底表面形成有氧化层；将所述衬底加热至处理温度，对所述衬底进行氮化处理，其中，所述氮化处理包括：在惰性气体氛围和第一压力下，对所述衬底进行维持处理，维持时间为T1a，然后在所述惰性气体氛围中通入氮化反应气体，在第二压力下，对所述衬底进行反应处理，反应时间为T2a；重复所述氮化处理，直至达到预定的维持时间和预定的反应时间。本发明能够有效增加氧化层中氮元素的含量，并降低了机台保养费用以及生成成本。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112864007A
申请号 ：
CN201911189534.2
公开（公告）日 ：
2021-05-28
申请日 ：
2019-11-28
授权号 ：
CN112864007B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
卢康
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN201911189534.2
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2021-06-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/28
申请日 : 20191128
申请日 : 20191128
2021-05-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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