本发明实施例提供了一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法，在完成栅极结构的加工后，还进行支撑层的刻蚀，得到所述剩余支撑层，然后再通过形成覆盖剩余支撑层的第二介质层，形成用于开设第一沟槽的加工平台，由于第一介质层和第二介质层的材料相同，在进行第一沟槽的形成时，可以同时去除源漏掺杂区上方的第一介质层和第二介质层，以及剩余支撑层上方的第二介质层，从而可以使第一沟槽中的部分段的截面尺寸增大，并可以进一步增大在第一沟槽内形成的源漏导电插塞的部分段的截面尺寸，以实现源漏掺杂区的电连接的同时，减小了所述源漏导电插塞的电阻。