半导体结构及其形成方法
实质审查的生效
摘要
一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：提供基底，所述基底包括第一隔离区；在所述基底上形成多个栅极结构以及中间层，所述中间层还位于栅极结构侧壁面，且至少2个栅极结构横跨所述第一隔离区；刻蚀第一隔离区上的栅极结构及相邻栅极结构间的中间层，在中间层内形成贯穿第一隔离区上的多个栅极结构的第一开口，刻蚀所述第一隔离区上的栅极结构及相邻栅极结构间的中间层的工艺中，对所述栅极结构和中间层的刻蚀选择比在预设范围内。从而，改善了半导体结构的性能和可靠性。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267674A
申请号 ：
CN202010975880.X
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2020-09-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑二虎纪世良张冬平
申请人 ：
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐文欣
优先权 ：
CN202010975880.X
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L21/8234
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/088
申请日 : 20200916
申请日 : 20200916
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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