一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底、栅极结构、栅极盖帽层、侧墙、源漏掺杂区、底部介质层、源漏接触层以及源漏盖帽层；在底部介质层上形成顶部介质层，覆盖栅极盖帽层、源漏盖帽层和侧墙；形成贯穿第一区域的顶部介质层和源漏盖帽层的源漏通孔，暴露出源漏接触层的顶面；形成贯穿第二区域的顶部介质层和栅极盖帽层的栅极通孔，暴露出栅极结构的顶面；其中，在形成源漏通孔和栅极通孔中任意一个或两个的步骤中，去除对应区域的部分高度侧墙，形成位于对应通孔侧壁上且覆盖侧墙顶部的刻蚀阻挡层；形成位于栅极通孔中的栅极插塞以及位于源漏通孔中的源漏插塞。本发明实施例有利于提升半导体结构的性能。