半导体结构及其形成方法
实质审查的生效
摘要
一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的金属栅极，以及横切所述金属栅极的第一隔离结构，所述第一隔离结构和所述金属栅极之间形成有栅介质层；去除第一高度的所述第一隔离结构，形成横切所述金属栅极的第一隔离沟槽，所述第一隔离沟槽暴露位于所述第一隔离沟槽侧壁的所述栅介质层；去除所述第一隔离沟槽侧壁的栅介质层，形成第二隔离沟槽；形成第二隔离结构，所述第二隔离结构填充所述第二隔离沟槽。上述方法不但能够提高器件性能，而且工艺简单。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496916A
申请号 ：
CN202011153431.3
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-10-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
韩秋华
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号
代理机构 ：
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
李丽
优先权 ：
CN202011153431.3
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L27/088
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8234
申请日 : 20201026
申请日 : 20201026
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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