半导体结构及其形成方法
公开
摘要
一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，基底上形成有栅极结构，栅极结构两侧的基底内形成有源漏掺杂层，相邻栅极结构之间形成有电连接源漏掺杂层的底部源漏插塞，基底上形成有覆盖栅极结构的第一层间介质层，第一层间介质层中形成有露出底部源漏插塞的顶部的开口；第一刻蚀停止层，位于开口的侧壁；第二层间介质层，位于第一层间介质层、第一刻蚀停止层和底部源漏插塞的顶部；栅极插塞，贯穿相邻第一刻蚀停止层之间的第二层间介质层和第一层间介质层；顶部源漏插塞，贯穿相邻第一刻蚀停止层之间的第二层间介质层。通过开口侧壁的第一刻蚀停止层，提高顶部源漏插塞与底部源漏插塞的对准精度。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613740A
申请号 ：
CN202011428955.9
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑春生甘露张华张文广
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号
代理机构 ：
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
高静
优先权 ：
CN202011428955.9
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48 H01L23/528 H01L27/088 H01L21/768 H01L21/8234
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
