一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底；栅极结构，位于基底上，平行于基底表面，栅极结构的延伸方向为横向，垂直于栅极结构延伸方向为纵向；源漏掺杂层，位于栅极结构两侧的基底内；源漏叠层，位于多个源漏掺杂层上，源漏叠层包括源漏插塞和立于源漏插塞上的源漏互连结构。本发明实施例中，源漏叠层包括源漏插塞和立于源漏插塞上的源漏互连结构，也就是说源漏插塞和源漏互连结构为一体结构，源漏互连结构和源漏插塞之间的粘附性较强，相应的强度较高，且因为源漏互连结构和源漏插塞为一体结构，从而源漏互连结构和源漏插塞之间的导通电阻较小，有利于降低半导体结构的功耗，提高电流特性，优化半导体结构的电学性能。