半导体结构及其形成方法
实质审查的生效
摘要
一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供基底,基底包括第一介电层以及位于第一介电层中的导电层,基底顶部形成有第二介电层,第二介电层中形成有露出导电层的开口;沿开口刻蚀导电层,在导电层中形成凹槽,凹槽的顶部与开口的底部相连,且凹槽的侧壁相对于开口的侧壁凸出;在凹槽和开口中形成导电插塞,导电插塞包括位于开口中的纵向导电插塞、以及位于凹槽中的横向导电插塞。通过横向导电插塞阻挡住纵向导电插塞的侧壁与第二介电层之间的间隙,从而降低导电层在形成导电插塞的过程中受损的概率,例如,横向导电插塞能够阻挡研磨液与导电层相接触,进而提高了半导体的性能。
基本信息
专利标题 :
半导体结构及其形成方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114496908A
申请号 :
CN202011270178.X
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2020-11-13
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
余桥孙天杨
申请人 :
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
代理机构 :
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
高静
优先权 :
CN202011270178.X
主分类号 :
H01L21/768
IPC分类号 :
H01L21/768 H01L23/48 H01L21/336 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20201113
申请日 : 20201113
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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