半导体结构的形成方法
公开
摘要
一种半导体结构的形成方法，包括：在基板的背侧上执行第一蚀刻制程，以露出虚设接触结构；执行第一沉积制程以在虚设接触结构周围沉积第一介电层；执行第二沉积制程以在第一介电层上沉积氧化层；移除虚设接触结构以形成沟槽；在沟槽的多个侧壁上沉积牺牲层；在牺牲层上沉积第二介电层；以导电材料填充沟槽；以及移除牺牲层以在第一介电层及第二介电层之间形成空气间隔物。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597162A
申请号 ：
CN202210020733.6
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-01-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李振铭李威养
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄艳
优先权 ：
CN202210020733.6
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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