一种半导体结构的形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成核心层；对牺牲区的核心层进行离子掺杂，适于使牺牲区的核心层与抗刻蚀区的核心层的被刻蚀速率不同，掺杂有离子的核心层用于作为牺牲层，未掺杂有离子的核心层用于作为抗刻蚀层；形成贯穿位于相邻牺牲区之间的核心层的沟槽；在沟槽的侧壁上形成侧墙，位于沟槽侧壁的侧墙围成第一凹槽；采用刻蚀工艺，去除牺牲层，形成贯穿抗刻蚀层的第二凹槽，刻蚀工艺对牺牲层的刻蚀速率大于对抗刻蚀层的刻蚀速率；以抗刻蚀层和侧墙为掩膜，刻蚀第一凹槽和第二凹槽底部的目标层，形成目标图形。本发明实施例有利于提高目标图形的图形精度、以及目标图形与设计图形的匹配度。