半导体结构及其形成方法
实质审查的生效
摘要
一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底和分立于所述衬底上的沟道结构、以及位于所述沟道结构侧部的衬底上的覆盖层；形成贯穿相邻所述沟道结构之间的覆盖层的开口，所述开口的底部暴露出所述衬底；在所述开口底部的衬底顶面形成导电层，用于作为电阻结构。本发明实施例将电阻结构制作在相邻所述沟道结构之间的衬底顶面，不但将电阻结构从中段或后段的金属层间介质层中解放出来，相应能够降低金属互连线和导电插塞的高度，从而得到优化的中段RC(电阻电容)，进而优化了半导体结构的性能，而且通过使电阻结构形成在相邻所述沟道结构之间的衬底顶面，还能够减小HiR电路的面积，相应满足器件尺寸微缩的需求。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334799A
申请号 ：
CN202011061139.9
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
呼翔
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号
代理机构 ：
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
高静
优先权 ：
CN202011061139.9
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/522 H01L23/528 H01L21/8234 H01L27/088
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20200930
申请日 : 20200930
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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