半导体结构的形成方法及半导体结构
授权
摘要
本发明提供了一种半导体结构的形成方法及半导体结构，涉及半导体制备的技术领域，方法包括以下步骤：在半导体堆叠结构的上表面形成掩模层，在掩模层上方形成光阻层；在光阻层上形成第一开口结构；通过湿法刻蚀，在掩模层中形成第二开口结构；以光阻层为掩模，利用干法等离子体刻蚀方式刻蚀半导体堆叠结构，在半导体堆叠结构中形成凹槽结构；对凹槽结构的底部和侧壁进行氧化处理，在凹槽结构的底部和侧壁形成钝化层；去除光阻层，以掩模层为掩模进行离子注入，在凹槽结构的侧壁和底部的外周形成高阻区。通过本发明形成的电流隔离结构，能够在不增加掩模工序的基础上，进一步提高隔离性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的形成方法及半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112736026A
申请号 ：
CN202110039309.1
公开（公告）日 ：
2021-04-30
申请日 ：
2021-01-12
授权号 ：
CN112736026B
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
杨国文唐松
申请人 ：
度亘激光技术(苏州)有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区苏州金鸡湖大道99号西北区20幢215、217室
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
孙海杰
优先权 ：
CN202110039309.1
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762 H01L21/3065 H01L21/311 H01L21/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2022-05-06 ：
授权
2021-05-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/762
申请日 : 20210112
申请日 : 20210112
2021-04-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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