半导体结构及其形成方法
授权
摘要
本申请提供一种半导体结构及其形成方法，其中，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面形成有功能结构，所述功能结构的侧壁依次形成有第一初始间隔层、牺牲间隔层和第二初始间隔层；所述第一初始间隔层和所述第二初始间隔层均由电介质材料构成；氧化处理部分所述第一初始间隔层和部分所述第二初始间隔层，形成牺牲层；同时去除所述牺牲层和所述牺牲间隔层，形成由第一间隔层、空气隙和第二间隔层构成的侧壁结构。通过本申请，能够解决半导体结构制备工艺复杂的问题，不仅简化了侧壁结构的制备工艺，还增大了形成的空气隙的间隙尺寸。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114023691A
申请号 ：
CN202210013964.4
公开（公告）日 ：
2022-02-08
申请日 ：
2022-01-07
授权号 ：
CN114023691B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
刘宇恒左明光
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈万青
优先权 ：
CN202210013964.4
主分类号 ：
H01L21/764
IPC分类号 ：
H01L21/764 H01L21/762 H01L29/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/764
空气隙
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2022-02-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/764
申请日 : 20220107
申请日 : 20220107
2022-02-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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