半导体结构及其形成方法

专利权的终止

摘要

本发明提供了一种半导体结构，该结构包括在绝缘体上半导体(SOI)上的高性能场效应晶体管(FET)，其中其绝缘体是预选几何图形的应力产生材料。这样的结构从单轴应力获得性能的增强，并且在沟道中的应力不依赖于本地接触的布置设计。概括地说，本发明涉及包括上半导体层和底半导体层的半导体结构，其中所述上半导体层与所述底半导体层在至少一个区域中由具有预选几何形状的应力产生绝缘体分离，所述应力产生绝缘体在上半导体层上施加应变。

基本信息

专利标题：

半导体结构及其形成方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1838417A

申请号：

CN200610008395.5

公开（公告）日：

2006-09-27

申请日：

2006-02-21

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

J·R·霍尔特O·C·奥扬

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

于静

优先权：

CN200610008395.5

主分类号：

H01L27/12

IPC分类号：

H01L27/12 H01L21/84 H01L21/762

法律状态

2020-02-11 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 27/12
申请日 : 20060221
授权公告日 : 20090211
终止日期 : 20190221

2017-11-24 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 27/12
登记生效日 : 20171107
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约

2017-11-24 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 27/12
登记生效日 : 20171107
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛

2009-02-11 ：

授权

2006-11-22 ：

实质审查的生效

2006-09-27 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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