本发明实施例提供一种半导体结构以及半导体结构的形成方法，其中，半导体结构包括：基底，包括阵列区和外围区，外围区内具有第一隔离结构，阵列区内具有第二隔离结构，第一隔离结构的顶部开口面积大于第二隔离结构的顶部开口面积；第一隔离结构中具有第一凹槽，以及用于填充第一凹槽的第一绝缘结构；第一绝缘结构至少包括顶隔离层，顶隔离层顶部表面与基底顶部表面齐平，且顶隔离层至少包括低介电常数材料。本发明实施例通过外围区的第一绝缘结构填充第一隔离结构中的第一凹槽，从而防止外围区浅沟槽隔离结构出现边缘漏电等缺陷，以提高形成的最终器件的良率，并防止浅沟槽隔离结构的性能损失。