半导体结构的形成方法及半导体结构
实质审查的生效
摘要
本发明提出一种半导体结构的形成方法及半导体结构；半导体结构的形成方法包含以下步骤：提供基底，基底表面具有沟槽；在基底表面形成隔离层，隔离层覆盖沟槽的侧壁和底壁；对隔离层进行预处理，使隔离层表面形成初始氧化层；通过原子层沉积工艺，在初始氧化层表面形成进阶氧化层；通过旋涂电介质工艺，在进阶氧化层表面形成介质层，使介质层填充沟槽。通过上述工艺设计，本发明通过预处理形成的初始氧化层，能够让进阶氧化层在后续制程中均匀生长，从而减少电介质旋涂填充过程的无效不良。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的形成方法及半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334791A
申请号 ：
CN202011056573.8
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高上
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙宝海
优先权 ：
CN202011056573.8
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762 H01L21/8242 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/762
申请日 : 20200930
申请日 : 20200930
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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