半导体结构和形成半导体器件的方法
实质审查的生效
摘要
本申请的实施例提供了一种半导体结构，包括：n型外延源极/漏极部件(NEPI)和p型外延源极/漏极部件(PEPI)，位于衬底上方，其中，NEPI的顶面低于PEPI的顶面。该半导体结构还包括：金属化合物部件，设置在NEPI的顶面和PEPI的顶面上；接触部件，设置在金属化合物部件上并且在NEPI和PEPI两者上方；以及通孔结构，设置在接触部件上方和NEPI上方，其中，通孔结构部分地位于接触部件中。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体器件的方法。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构和形成半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464617A
申请号 ：
CN202110885904.7
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2021-08-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
沙哈吉·B·摩尔张正伟
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN202110885904.7
主分类号 ：
H01L27/092
IPC分类号 ：
H01L27/092 H01L21/8238
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
H01L27/092
互补MIS场效应晶体管
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/092
申请日 : 20210803
申请日 : 20210803
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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