半导体器件以及用于形成半导体器件的方法
实质审查的生效
摘要
一种半导体器件。半导体器件包含位于第一介电层上方的波导。波导的第一部分具有第一宽度，且波导的第二部分具有大于第一宽度的第二宽度。半导体器件包含第一掺杂半导体结构和第二掺杂半导体结构。波导的第二部分位于第一掺杂半导体结构与第二掺杂半导体结构之间。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件以及用于形成半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284382A
申请号 ：
CN202110448356.1
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-04-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
石志聪卢皓彦徐英杰斯帝芬鲁苏周淳朴
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
南京正联知识产权代理有限公司
代理人 ：
顾伯兴
优先权 ：
CN202110448356.1
主分类号 ：
H01L31/105
IPC分类号 ：
H01L31/105 H01L31/0352 H01L31/0232 H01L31/18 G02B6/122
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/105
申请日 : 20210425
申请日 : 20210425
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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