形成半导体器件的方法
授权
摘要
本发明实施例提供一种形成半导体器件的方法，其包括形成源极/漏极区，以及在真空腔室或真空集群系统中进行选择性沉积以在源极/漏极区上形成金属硅化物层，并且在与源极/漏极区相邻的介电区上形成金属层。该方法还包括选择性地蚀刻真空腔室中的金属层，并且在金属硅化物层上选择性地形成金属氮化物层。在真空腔室或真空集群系统中进行选择性地形成金属氮化物层而没有真空破坏。本发明实施例还提供另外两种形成半导体器件的方法。
基本信息
专利标题 ：
形成半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109427898A
申请号 ：
CN201711287662.1
公开（公告）日 ：
2019-03-05
申请日 ：
2017-12-07
授权号 ：
CN109427898B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
王菘豊许志成黄鸿仪张志维徐志安
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN201711287662.1
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2019-03-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20171207
申请日 : 20171207
2019-03-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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