形成半导体器件的方法

专利权的终止

摘要

薄膜半导体器件，例如ＴＦＴ及其制造方法。ＴＦＴ形成在绝缘衬底上。在该衬底上先形成基本上为非晶半导体涂层。再在该涂层上形成对激光辐射透明的保护涂层。用激光辐射照射该叠层，以改善半导体涂层的结晶度。然后，除去保护涂层使半导体涂层的表面露出。形成栅绝缘膜的涂层，随后形成栅电极。还涉及在绝缘衬底上制造半导体器件，例如ＴＦＴ。形成主要由氮化铝组成第１涂层后，再形成主要由氧化硅组成的第２涂层，其上可制作半导体器件。

基本信息

专利标题：

形成半导体器件的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1085352A

申请号：

CN93109877.7

公开（公告）日：

1994-04-13

申请日：

1993-07-06

授权号：

CN1052568C

授权日：

2000-05-17

发明人：

山崎舜平张宏勇竹村保彦

申请人：

株式会社半导体能源研究所

申请人地址：

日本神奈川县

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

肖掬昌

优先权：

CN93109877.7

主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H01L21/02 H01L21/336 H01L21/70 H01L27/00 H01L29/786