半导体器件和形成半导体器件的方法
授权
摘要
该方法包括提供介电层；在介电层中形成金属线；在金属线上形成蚀刻停止层，其中，蚀刻停止层包括与羟基结合的金属原子；对蚀刻停止层实施处理工艺，用除氢以外的元素置换羟基中的氢；部分蚀刻蚀刻停止层以暴露金属线；以及在蚀刻停止层之上形成与金属线物理接触的导电部件。本发明的实施例还涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件和形成半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110838466A
申请号 ：
CN201910750267.5
公开（公告）日 ：
2020-02-25
申请日 ：
2019-08-14
授权号 ：
CN110838466B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
郑凯方邓志霖黄心岩陈海清
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN201910750267.5
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/538
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2020-03-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20190814
申请日 : 20190814
2020-02-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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