半导体器件及其形成方法

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摘要

一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底上具有栅极结构；在所述栅极结构两侧的基底中分别形成初始槽；对所述初始槽的内壁进行表面圆滑处理，使初始槽形成凹槽，所述凹槽的底部表面和侧壁之间的拐角处呈圆角；在所述凹槽的内壁形成种子层，且所述种子层覆盖凹槽的全部内壁；在所述凹槽中形成位于种子层表面的源漏体层。所述方法提高了半导体器件的性能。

基本信息

专利标题：

半导体器件及其形成方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109817713A

申请号：

CN201711172879.8

公开（公告）日：

2019-05-28

申请日：

2017-11-22

授权号：

CN109817713B

授权日：

2022-04-15

发明人：

刘轶群何永根

申请人：

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司

申请人地址：

上海市浦东新区张江路18号

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

徐文欣

优先权：

CN201711172879.8

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L21/336 H01L29/417 H01L21/768

法律状态

2022-04-15 ：

授权

2019-06-21 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20171122

2019-05-28 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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