半导体器件和形成半导体器件的方法
实质审查的生效
摘要
公开了用于形成具有不同表面轮廓的凸块下金属(UBM)结构的方法和通过该方法形成的半导体器件。在实施例中，半导体器件包含：位于半导体衬底上方的第一再分布线和第二再分布线；位于第一再分布线和第二再分布线上方的第一钝化层；位于第一再分布线上方并且电耦合到第一重布线的第一凸块下金属(UBM)结构，该第一UBM结构延伸穿过第一钝化层，该第一UBM结构的顶面是凹面的；以及位于第二再分布线上方并且电耦合到第二再分布线的第二UBM结构，该第二UBM结构延伸穿过第一钝化层，该第二UBM结构的顶面是平坦的或凸起的。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件和形成半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464545A
申请号 ：
CN202210027367.7
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-01-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨挺立蔡柏豪郑明达庄咏涵王学圣
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN202210027367.7
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 H01L23/528 H01L23/522
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/60
申请日 : 20220111
申请日 : 20220111
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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