半导体器件及其形成方法
授权
摘要
在实施例中，一种器件包括：集成电路管芯；密封剂，至少部分地密封集成电路管芯；导电通孔，延伸穿过密封剂；再分布结构，位于密封剂上，再分布结构包括：金属化图案，电耦合至导电通孔和集成电路管芯；介电层，位于金属化图案上，该介电层具有10μm至30μm的第一厚度；以及第一凸块下金属(UBM)，具有延伸穿过介电层的第一通孔部分和位于介电层上的第一凸块部分，第一UBM物理和电耦合至金属化图案，第一通孔部分具有第一宽度，第一厚度与第一宽度的比率为1.33至1.66。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111261608A
申请号 ：
CN201911203412.4
公开（公告）日 ：
2020-06-09
申请日 ：
2019-11-29
授权号 ：
CN111261608B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
刘重希吴俊毅李建勋
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN201911203412.4
主分类号 ：
H01L23/485
IPC分类号 ：
H01L23/485 H01L23/498 H01L25/18 H01L21/60
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/482
由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的
H01L23/485
包括导电层和绝缘层组成的层状结构，例如平面型触头
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2020-07-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/485
申请日 : 20191129
申请日 : 20191129
2020-06-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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