用于形成半导体器件的方法和半导体器件

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摘要

一种用于形成半导体器件的方法包括在半导体管芯上形成（110）硅酮层。所述方法还包括对硅酮层的硅酮表面进行等离子体处理（120）。所述方法还包括在硅酮层的经等离子体处理的硅酮表面上沉积（130）表面活性剂，以获得至少部分地被表面活性剂覆盖的硅酮表面。所述方法还包括在至少部分地被表面活性剂覆盖的硅酮表面上形成（140）模制物。所述表面活性剂包括表面活性剂分子，所述表面活性剂分子包括以有机复合物终止的无机构架。

基本信息

专利标题：

用于形成半导体器件的方法和半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN108074880A

申请号：

CN201711145467.5

公开（公告）日：

2018-05-25

申请日：

2017-11-17

授权号：

CN108074880B

授权日：

2022-05-03

发明人：

C.埃贝特M.海因里西J.希尔施勒M.普拉珀特C.特拉万

申请人：

英飞凌科技奥地利有限公司

申请人地址：

奥地利菲拉赫

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

黄涛

优先权：

CN201711145467.5

主分类号：

H01L23/29

IPC分类号：

H01L23/29 H01L21/56