形成半导体器件的方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种改进了的制造绝缘栅场效应晶体管的方法。该方法包括下列步骤：在绝缘衬底上形成半导体薄膜，在所说半导体薄膜上形成栅绝缘薄膜，在所说的栅绝缘薄膜上形成栅电极，阳极氧化所说栅电极，以形成覆盖栅电极的外表面的氧化物薄膜，按相应的半导体薄膜给栅电极加负电压或正电压。加负电压能有效地消除在正电压进行阳极氧化过程中产生的晶格缺陷和界面态。
基本信息
专利标题 ：
形成半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1078068A
申请号 ：
CN93105438.9
公开（公告）日 ：
1993-11-03
申请日 ：
1993-04-07
授权号 ：
CN1054469C
授权日 ：
2000-07-12
发明人 ：
山崎舜平张宏勇鱼地秀贵安达广树竹村保彦
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN93105438.9
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/78
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2011-06-15 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101079117363
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL931054389
申请日 : 19930407
授权公告日 : 20000712
终止日期 : 20100407
号牌文件序号 : 101079117363
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL931054389
申请日 : 19930407
授权公告日 : 20000712
终止日期 : 20100407
2000-07-12 ：
授权
1995-07-19 ：
实质审查请求的生效
1993-11-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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