半导体器件的形成方法及半导体器件
公开
摘要
本申请实施例提供一种半导体器件的形成方法及半导体器件，其中，方法包括：在半导体基底上形成沿第一方向间隔排布的多个位线结构；在相邻的位线结构之间，形成覆盖每一位线结构侧壁的第一隔离层；形成覆盖第一隔离层表面、且在第二方向上堆叠的第一牺牲层和第二牺牲层，第二牺牲层的离子掺杂浓度大于第一牺牲层的离子掺杂浓度；其中，第一方向垂直于第二方向，且第二方向垂直于半导体基底的表面；形成覆盖第一牺牲层和第二牺牲层侧壁的第二隔离层；在相邻第二隔离层之间，沿第二方向在半导体基底上依次形成接触层和金属层；去除第二牺牲层，形成位于第一隔离层和第二隔离层之间的空气间隙。本申请可以提高半导体器件的性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的形成方法及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566467A
申请号 ：
CN202210463001.4
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-04-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙明珠
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司;长鑫集电（北京）存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈万青
优先权 ：
CN202210463001.4
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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