半导体器件的接触孔形成方法、半导体器件
公开
摘要
本申请公开了一种半导体器件的接触孔形成方法、半导体器件，包括：形成覆盖第一介质层的第一阻挡层，第一介质层内有着陆焊垫和电极；对第一阻挡层进行部分刻蚀以在电极对应位置形成刻蚀阻挡图案；在刻蚀阻挡图案和第一阻挡层上依次形成多层被第二介质层隔开的第二阻挡层，对第二阻挡层、第二介质层、第一阻挡层进行刻蚀以在着陆焊垫对应位置形成电容器；回填第二介质层直至将电容器覆盖，对回填的第二介质层进行倾斜刻蚀以形成与电极接触的接触孔，位于刻蚀阻挡图案上部的形状为圆锥形，由于刻蚀阻挡图案作用，位于刻蚀阻挡图案下部的刻蚀相当于是垂直刻蚀，垂直刻蚀不会出现底部无法刻开的问题，进而使得接触孔尺寸可以做得更小。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的接触孔形成方法、半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628315A
申请号 ：
CN202011434941.8
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘智龙李大烨金一球贺晓彬李亭亭杨涛李俊峰王文武
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘广达
优先权 ：
CN202011434941.8
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/528 H01L21/8242 H01L21/8244 H01L21/8246 H01L27/108 H01L27/11 H01L27/112 H01L27/22
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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