形成半导体器件的方法
公开
摘要
在实施例中，形成半导体器件的方法包括：在目标层上方形成光刻胶；实施等离子体增强沉积工艺，等离子体增强沉积工艺蚀刻光刻胶的侧壁，同时在光刻胶的侧壁上沉积间隔件层；图案化间隔件层以在光刻胶的侧壁上形成间隔件；以及使用间隔件和光刻胶作为组合蚀刻掩模来蚀刻目标层。
基本信息
专利标题 ：
形成半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628239A
申请号 ：
CN202210110688.3
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-01-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林颂恩王俊尧
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN202210110688.3
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 H01L21/308
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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