形成半导体器件的方法
授权
摘要
本发明提供了一种形成半导体器件的方法，该方法包括：在衬底上形成电极；在所述衬底上形成钝化层，该钝化层与所述电极的侧面和边缘隔开以在所述钝化层与所述电极之间形成间隙；以及在所述电极上形成可焊接触点。提供了一种碳化硅器件，该器件包括在其表面上的至少一个电源电极、形成在电源电极上的可焊接触点、以及至少一个钝化层，所述钝化层包围可焊接触点但与可焊接触点隔开，从而形成间隙。
基本信息
专利标题 ：
形成半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101740382A
申请号 ：
CN200910212368.3
公开（公告）日 ：
2010-06-16
申请日 ：
2005-10-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
R·卡尔塔L·贝莱莫L·梅林
申请人 ：
硅尼克斯科技公司
申请人地址 ：
荷兰新加坡市
代理机构 ：
北京润平知识产权代理有限公司
代理人 ：
周建秋
优先权 ：
CN200910212368.3
主分类号 ：
H01L21/329
IPC分类号 ：
H01L21/329 H01L21/28 H01L21/60 H01L21/336
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/328
制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/329
包括1个或两个电极的器件，例如二极管
法律状态
2013-09-04 ：
授权
2010-09-01 ：
实质审查的生效
号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101005265599
IPC(主分类) : H01L 21/329
专利申请号 : 2009102123683
申请日 : 20051021
号牌文件序号 : 101005265599
IPC(主分类) : H01L 21/329
专利申请号 : 2009102123683
申请日 : 20051021
2010-06-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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